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村田芯片
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RDE5C1H183J1K1H03B
產(chǎn)品參考圖片
RDE5C1H183J1K1H03B
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
陶瓷電容器,徑向
技術(shù)參數(shù):
CAP CER 0.018UF 50V 5% RADIAL
(專注銷售電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號: RDE5C1H183J1K1H03B
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
功能總體簡述: CAP CER 0.018UF 50V 5% RADIAL
系列: RDE
電容: 0.018μF
容差: ±5%
電壓 - 額定: 50V
溫度系數(shù): C0G,NP0
安裝類型: 通孔
工作溫度: -55°C ~ 125°C
應(yīng)用: 通用
等級: -
封裝/外殼: 徑向
大小/尺寸: 0.177" 長 x 0.124" 寬(4.50mm x 3.15mm)
高度 - 安裝(最大值): 0.197"(5.00mm)
厚度(最大值): -
引線間距: 0.197"(5.00mm)
特性: -
引線形式: *
現(xiàn)在可以訂購
RDE5C1H183J1K1H03B
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
DE1B3KX221KB4BP01F
GRM0335C1E5R6DA01D
GRM1555C1H4R1WZ01D
GRM033R61A223KE84J
BLM18BD222SN1D
GCM0335C1E1R8CD03D
LSS-T/10-W12-C
GRM0335C1E7R5CD01D
LQP03TN3N1BZ2D
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